SIHB33N60E-GE3规格参数_sihb33n60e-ge3现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SIHB33N60E-GE3

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：-

描述：MOSFET N-CH 600V D2PAK

1105 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的SIHB33N60E-GE3，现有足量库存。SIHB33N60E-GE3的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供SIHB33N60E-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIHB33N60E-GE3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SIHB33N60E-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIHB33N60E-GE3
描述	MOSFET N-CH 600V D2PAK
制造商	Infineon Technologies
库存	1105
系列	*
包装	卷带（TR）
FET 类型	-
技术	-
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	-
供应商器件封装	-
封装/外壳	-