NVC6S5A354PLZT1G规格参数_nvc6s5a354plzt1g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NVC6S5A354PLZT1G

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH

4348 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVC6S5A354PLZT1G，现有足量库存。NVC6S5A354PLZT1G的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供NVC6S5A354PLZT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVC6S5A354PLZT1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NVC6S5A354PLZT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVC6S5A354PLZT1G
描述	MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
制造商	onsemi
库存	4348
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	100 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	600 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.9W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-CPH
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6