NTNS3A65PZT5G规格参数_ntns3a65pzt5g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

制造商：onsemi

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883

1280 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTNS3A65PZT5G，现有足量库存。NTNS3A65PZT5G的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供NTNS3A65PZT5G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTNS3A65PZT5G的详细使用方法及教程。

NTNS3A65PZT5G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTNS3A65PZT5G
描述	MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
制造商	onsemi
库存	1280
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	281mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.3 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	44 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	155mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
封装/外壳	3-XFDFN