DMP3056LVT-13规格参数_dmp3056lvt-13现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMP3056LVT-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：-

描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26

8365 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP3056LVT-13，现有足量库存。DMP3056LVT-13的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供DMP3056LVT-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP3056LVT-13的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMP3056LVT-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP3056LVT-13
描述	MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
制造商	Diodes Incorporated
库存	8365
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	50 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	642 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.38W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	-
供应商器件封装	-
封装/外壳	-