JANSR2N7381规格参数_jansr2n7381现货热销【斯普仑】

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JANSR2N7381

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：TO-257-3

描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257

6187 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的JANSR2N7381，现有足量库存。JANSR2N7381的封装/规格参数为:TO-257-3；同时斯普仑现货为您提供JANSR2N7381数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有JANSR2N7381的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

JANSR2N7381产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	JANSR2N7381
描述	MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257
制造商	Microsemi Corporation
库存	6187
系列	Military, MIL-PRF-19500/614
包装	托盘
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	490 毫欧 @ 9.4A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50 nC @ 12 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），75W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-257
封装/外壳	TO-257-3