FDC642P-F085P规格参数_fdc642p-f085p现货热销【斯普仑】

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FDC642P-F085P

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6

1796 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDC642P-F085P，现有足量库存。FDC642P-F085P的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供FDC642P-F085P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDC642P-F085P的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDC642P-F085P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDC642P-F085P
描述	MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
制造商	onsemi
库存	1796
系列	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	65 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	630 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TSOT-23-6
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6