RJK0353DPA-WS#J0B规格参数_rjk0353dpa-ws#j0b现货热销【斯普仑】

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RJK0353DPA-WS#J0B

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

1419 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的RJK0353DPA-WS#J0B，现有足量库存。RJK0353DPA-WS#J0B的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供RJK0353DPA-WS#J0B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RJK0353DPA-WS#J0B的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RJK0353DPA-WS#J0B产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RJK0353DPA-WS#J0B
描述	MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	1419
系列	-
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	35A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5.2 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2180 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	40W（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	WPAK（3F）（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN