PMV48XP/MIR规格参数_pmv48xp/mir现货热销【斯普仑】

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PMV48XP/MIR

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB

8199 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMV48XP/MIR，现有足量库存。PMV48XP/MIR的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供PMV48XP/MIR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMV48XP/MIR的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PMV48XP/MIR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMV48XP/MIR
描述	MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	8199
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	55 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1000 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	510mW（Ta），4.15W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-236AB
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3