DMG4N65CTI规格参数_dmg4n65cti现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMG4N65CTI

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB

4870 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMG4N65CTI，现有足量库存。DMG4N65CTI的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供DMG4N65CTI数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMG4N65CTI的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMG4N65CTI产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMG4N65CTI
描述	MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
制造商	Diodes Incorporated
库存	4870
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	13.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	900 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	8.35W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	ITO-220AB
封装/外壳	TO-220-3 全封装，隔离接片