AON6562规格参数_aon6562现货热销【斯普仑】

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AON6562

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装外壳：8-VDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN

1056 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Alpha & Omega Semiconductor Inc.设计生产的AON6562，现有足量库存。AON6562的封装/规格参数为:8-VDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供AON6562数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AON6562的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

AON6562产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AON6562
描述	MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
制造商	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存	1056
系列	AlphaMOS
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	29A（Ta），32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1550 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	6W（Ta），25W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6）
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘