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IXRFSM18N50

制造商：IXYS-RF

封装外壳：16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 500V 19A 16SMPD

8512 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS-RF设计生产的IXRFSM18N50，现有足量库存。IXRFSM18N50的封装/规格参数为:16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供IXRFSM18N50数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXRFSM18N50的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS-RF设计生产的IXRFSM18N50，现有足量库存。IXRFSM18N50的封装/规格参数为:16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供IXRFSM18N50数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXRFSM18N50的详细使用方法及教程。

IXRFSM18N50产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXRFSM18N50
描述 MOSFET N-CH 500V 19A 16SMPD
制造商 IXYS-RF
库存 8512
系列 SMPD
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 340 毫欧 @ 9.5A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 6.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 42 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2250 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 835W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 16-SMPD
封装/外壳 16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘

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