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IXRFSM12N100

制造商：IXYS-RF

封装外壳：16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 1000V 12A 16SMPD

4989 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS-RF设计生产的IXRFSM12N100，现有足量库存。IXRFSM12N100的封装/规格参数为:16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供IXRFSM12N100数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXRFSM12N100的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS-RF设计生产的IXRFSM12N100，现有足量库存。IXRFSM12N100的封装/规格参数为:16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供IXRFSM12N100数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXRFSM12N100的详细使用方法及教程。

IXRFSM12N100产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXRFSM12N100
描述 MOSFET N-CH 1000V 12A 16SMPD
制造商 IXYS-RF
库存 4989
系列 SMPD
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.05 欧姆 @ 6A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 77 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2875 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 940W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 16-SMPD
封装/外壳 16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘

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