DMJ70H1D0SV3规格参数_dmj70h1d0sv3现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMJ70H1D0SV3

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

描述：MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

8917 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMJ70H1D0SV3，现有足量库存。DMJ70H1D0SV3的封装/规格参数为:TO-251-3 短截引线，IPak；同时斯普仑现货为您提供DMJ70H1D0SV3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMJ70H1D0SV3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMJ70H1D0SV3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMJ70H1D0SV3
描述	MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
制造商	Diodes Incorporated
库存	8917
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	420 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	104W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-251
封装/外壳	TO-251-3 短截引线，IPak