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FDN338P_G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3

3352 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDN338P_G，现有足量库存。FDN338P_G的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供FDN338P_G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDN338P_G的详细使用方法及教程。

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FDN338P_G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDN338P_G
描述 MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
制造商 onsemi
库存 3352
系列 PowerTrench®
包装 散装
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 115 毫欧 @ 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 451 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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