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FDB3632_SB82115

制造商：onsemi

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK

8918 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDB3632_SB82115，现有足量库存。FDB3632_SB82115的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供FDB3632_SB82115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDB3632_SB82115的详细使用方法及教程。

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FDB3632_SB82115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDB3632_SB82115
描述 MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
制造商 onsemi
库存 8918
系列 PowerTrench®
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 310W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK（TO-263）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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