SQV120N10-3M8_GE3规格参数_sqv120n10-3m8_ge3现货热销【斯普仑】

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SQV120N10-3M8_GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

2324 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SQV120N10-3M8_GE3，现有足量库存。SQV120N10-3M8_GE3的封装/规格参数为:28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供SQV120N10-3M8_GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SQV120N10-3M8_GE3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SQV120N10-3M8_GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SQV120N10-3M8_GE3
描述	MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
制造商	Vishay Siliconix
库存	2324
系列	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7230 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	250W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	28-SOIC
封装/外壳	28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）