SQM120N04-1M4L_GE3规格参数_sqm120n04-1m4l_ge3现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SQM120N04-1M4L_GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：-

描述：N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

9452 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SQM120N04-1M4L_GE3，现有足量库存。SQM120N04-1M4L_GE3的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供SQM120N04-1M4L_GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SQM120N04-1M4L_GE3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SQM120N04-1M4L_GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SQM120N04-1M4L_GE3
描述	N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
库存	9452
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	-
技术	-
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	-
供应商器件封装	-
封装/外壳	-