FCH099N65S3_F155规格参数_fch099n65s3_f155现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FCH099N65S3_F155

制造商：onsemi

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

5898 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FCH099N65S3_F155，现有足量库存。FCH099N65S3_F155的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供FCH099N65S3_F155数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FCH099N65S3_F155的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FCH099N65S3_F155产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FCH099N65S3_F155
描述	MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
制造商	onsemi
库存	5898
系列	SuperFET® III
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	99 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2480 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	227W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-3
封装/外壳	TO-247-3