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制造商：Taiwan Semiconductor Corporation
封装外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM2N7000KCT B0G，现有足量库存。TSM2N7000KCT B0G的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；同时斯普仑现货为您提供TSM2N7000KCT B0G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM2N7000KCT B0G的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM2N7000KCT B0G，现有足量库存。TSM2N7000KCT B0G的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；同时斯普仑现货为您提供TSM2N7000KCT B0G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM2N7000KCT B0G的详细使用方法及教程。
| TSM2N7000KCT B0G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TSM2N7000KCT B0G |
| 描述 | MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92 |
| 制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 库存 | 1298 |
| 系列 | - |
| 包装 | 盒 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
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