TSM061NA03CV RGG规格参数_tsm061na03cv rgg现货热销【斯普仑】

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TSM061NA03CV RGG

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

1697 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM061NA03CV RGG，现有足量库存。TSM061NA03CV RGG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供TSM061NA03CV RGG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM061NA03CV RGG的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TSM061NA03CV RGG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TSM061NA03CV RGG
描述	MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
库存	1697
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	66A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6.1 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	19.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1136 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	44.6W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PDFN（3.1x3.1）
封装/外壳	8-PowerWDFN