FQD5N50CTM-WS规格参数_fqd5n50ctm-ws现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FQD5N50CTM-WS

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252

7333 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQD5N50CTM-WS，现有足量库存。FQD5N50CTM-WS的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供FQD5N50CTM-WS数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQD5N50CTM-WS的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FQD5N50CTM-WS产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FQD5N50CTM-WS
描述	MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
制造商	onsemi
库存	7333
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.4 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	625 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63