FCP11N60N-F102规格参数_fcp11n60n-f102现货热销【斯普仑】

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FCP11N60N-F102

制造商：onsemi

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

8624 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FCP11N60N-F102，现有足量库存。FCP11N60N-F102的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供FCP11N60N-F102数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FCP11N60N-F102的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FCP11N60N-F102产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FCP11N60N-F102
描述	MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
制造商	onsemi
库存	8624
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	299 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	35.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1505 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	94W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220F
封装/外壳	TO-220-3 整包