DMG7N65SJ3规格参数_dmg7n65sj3现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMG7N65SJ3

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251

1844 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMG7N65SJ3，现有足量库存。DMG7N65SJ3的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供DMG7N65SJ3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMG7N65SJ3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMG7N65SJ3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMG7N65SJ3
描述	MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
制造商	Diodes Incorporated
库存	1844
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	886 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-251
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA