欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

STB20N60M2-EP

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

6968 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STB20N60M2-EP,现有足量库存。STB20N60M2-EP的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供STB20N60M2-EP数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STB20N60M2-EP的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STB20N60M2-EP,现有足量库存。STB20N60M2-EP的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供STB20N60M2-EP数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STB20N60M2-EP的详细使用方法及教程。

STB20N60M2-EP产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STB20N60M2-EP
描述 MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
库存 6968
系列 MDmesh™ M2-EP
包装 卷带(TR)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”