2SJ438,Q(M规格参数_2sj438,q(m现货热销【斯普仑】

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2SJ438,Q(M

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET P-CH TO220NIS

6083 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的2SJ438,Q(M，现有足量库存。2SJ438,Q(M的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供2SJ438,Q(M数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2SJ438,Q(M的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

2SJ438,Q(M产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	2SJ438,Q(M
描述	MOSFET P-CH TO220NIS
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	6083
系列	-
包装	散装
FET 类型	-
技术	-
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220NIS
封装/外壳	TO-220-3 整包