欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

IPD50R2K0CEBTMA1

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

描述:CONSUMER

8248 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPD50R2K0CEBTMA1,现有足量库存。IPD50R2K0CEBTMA1的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供IPD50R2K0CEBTMA1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPD50R2K0CEBTMA1的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPD50R2K0CEBTMA1,现有足量库存。IPD50R2K0CEBTMA1的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供IPD50R2K0CEBTMA1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPD50R2K0CEBTMA1的详细使用方法及教程。

IPD50R2K0CEBTMA1产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IPD50R2K0CEBTMA1
描述 CONSUMER
制造商 Infineon Technologies
库存 8248
系列 CoolMOS™ CE
包装 卷带(TR)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 600mA,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 124 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 33W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

为智能时代加速到来而付出“真芯”