SIR774DP-T1-GE3规格参数_sir774dp-t1-ge3现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SIR774DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：-

描述：MOSFET N-CH 30V

5101 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIR774DP-T1-GE3，现有足量库存。SIR774DP-T1-GE3的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供SIR774DP-T1-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIR774DP-T1-GE3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SIR774DP-T1-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIR774DP-T1-GE3
描述	MOSFET N-CH 30V
制造商	Vishay Siliconix
库存	5101
系列	SkyFET®, TrenchFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	-
技术	-
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	32A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	-
供应商器件封装	-
封装/外壳	-