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TPH3207WS

制造商:Transphorm

封装外壳:TO-247-3

描述:GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

6369 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TPH3207WS,现有足量库存。TPH3207WS的封装/规格参数为:TO-247-3;同时斯普仑现货为您提供TPH3207WS数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPH3207WS的详细使用方法及教程。

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TPH3207WS产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TPH3207WS
描述 GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
制造商 Transphorm
库存 6369
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 41 毫欧 @ 32A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.65V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42 nC @ 8 V
Vgs(最大值) ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2197 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 178W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”