APT80SM120J规格参数_apt80sm120j现货热销【斯普仑】

400-900-8690

APT80SM120J

制造商：Microsemi Corporation

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：SICFET N-CH 1200V 51A SOT227

2448 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的APT80SM120J，现有足量库存。APT80SM120J的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供APT80SM120J数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT80SM120J的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

APT80SM120J产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APT80SM120J
描述	SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
制造商	Microsemi Corporation
库存	2448
系列	-
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	55 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	235 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	273W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	SOT-227
封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC