STL12HN65M2规格参数_stl12hn65m2现货热销【斯普仑】

400-900-8690

STL12HN65M2

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET POWERFLAT HV

7751 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL12HN65M2，现有足量库存。STL12HN65M2的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL12HN65M2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL12HN65M2的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

STL12HN65M2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STL12HN65M2
描述	MOSFET POWERFLAT HV
制造商	STMicroelectronics
库存	7751
系列	*
包装	卷带（TR）
FET 类型	-
技术	-
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（5x6）HV
封装/外壳	8-PowerVDFN