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STD20P3H6AG

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

描述:MOSFET P-CH 30V 20A DPAK

3739 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STD20P3H6AG,现有足量库存。STD20P3H6AG的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供STD20P3H6AG数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STD20P3H6AG的详细使用方法及教程。

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STD20P3H6AG产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STD20P3H6AG
描述 MOSFET P-CH 30V 20A DPAK
制造商 STMicroelectronics
库存 3739
系列 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
包装 卷带(TR)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 635 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 40W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

为智能时代加速到来而付出“真芯”