DMT69M8LPS-13规格参数_dmt69m8lps-13现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMT69M8LPS-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

8851 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT69M8LPS-13，现有足量库存。DMT69M8LPS-13的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供DMT69M8LPS-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT69M8LPS-13的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMT69M8LPS-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMT69M8LPS-13
描述	MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
制造商	Diodes Incorporated
库存	8851
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.2A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1925 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.3W（Ta），113W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerDI5060-8
封装/外壳	8-PowerTDFN