3LN01C-TB-E规格参数_3ln01c-tb-e现货热销【斯普仑】

400-900-8690

3LN01C-TB-E

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

3784 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的3LN01C-TB-E，现有足量库存。3LN01C-TB-E的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供3LN01C-TB-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有3LN01C-TB-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

3LN01C-TB-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	3LN01C-TB-E
描述	MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
制造商	onsemi
库存	3784
系列	-
包装	卷带（TR） , 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	150mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.7 欧姆 @ 80mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	250mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SC-59-3/CP3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3