IPL65R420E6AUMA1规格参数_ipl65r420e6auma1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IPL65R420E6AUMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：4-PowerTSFN

描述：MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK

4602 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPL65R420E6AUMA1，现有足量库存。IPL65R420E6AUMA1的封装/规格参数为:4-PowerTSFN；同时斯普仑现货为您提供IPL65R420E6AUMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPL65R420E6AUMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPL65R420E6AUMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPL65R420E6AUMA1
描述	MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
制造商	Infineon Technologies
库存	4602
系列	CoolMOS™ E6
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	420 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	710 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	83W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-VSON-4
封装/外壳	4-PowerTSFN