IPL60R2K1C6SATMA1规格参数_ipl60r2k1c6satma1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IPL60R2K1C6SATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK

6285 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPL60R2K1C6SATMA1，现有足量库存。IPL60R2K1C6SATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供IPL60R2K1C6SATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPL60R2K1C6SATMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPL60R2K1C6SATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPL60R2K1C6SATMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
制造商	Infineon Technologies
库存	6285
系列	CoolMOS™ C6
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.1 欧姆 @ 760mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	140 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	21.6W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TSON-8-2
封装/外壳	8-PowerTDFN