SPP20N65C3HKSA1规格参数_spp20n65c3hksa1现货热销【斯普仑】

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SPP20N65C3HKSA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3

7275 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的SPP20N65C3HKSA1，现有足量库存。SPP20N65C3HKSA1的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供SPP20N65C3HKSA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SPP20N65C3HKSA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SPP20N65C3HKSA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SPP20N65C3HKSA1
描述	MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
制造商	Infineon Technologies
库存	7275
系列	CoolMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2400 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	208W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-3-1
封装/外壳	TO-220-3