SPI35N10规格参数_spi35n10现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SPI35N10

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

4093 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的SPI35N10，现有足量库存。SPI35N10的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供SPI35N10数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SPI35N10的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SPI35N10产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SPI35N10
描述	MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
制造商	Infineon Technologies
库存	4093
系列	SIPMOS®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	44 毫欧 @ 26.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1570 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO262-3-1
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA