IPSH6N03LB G规格参数_ipsh6n03lb g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IPSH6N03LB G

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

2845 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPSH6N03LB G，现有足量库存。IPSH6N03LB G的封装/规格参数为:TO-251-3 短截引线，IPak；同时斯普仑现货为您提供IPSH6N03LB G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPSH6N03LB G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPSH6N03LB G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPSH6N03LB G
描述	MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
制造商	Infineon Technologies
库存	2845
系列	OptiMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2800 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO251-3-11
封装/外壳	TO-251-3 短截引线，IPak