IPP21N03L G规格参数_ipp21n03l g现货热销【斯普仑】

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IPP21N03L G

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH TO-220

5633 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPP21N03L G，现有足量库存。IPP21N03L G的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IPP21N03L G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPP21N03L G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPP21N03L G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPP21N03L G
描述	MOSFET N-CH TO-220
制造商	Infineon Technologies
库存	5633
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-3
封装/外壳	TO-220-3