IPP12CNE8N G规格参数_ipp12cne8n g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IPP12CNE8N G

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 85V 67A TO220-3

2665 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPP12CNE8N G，现有足量库存。IPP12CNE8N G的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IPP12CNE8N G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPP12CNE8N G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPP12CNE8N G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPP12CNE8N G
描述	MOSFET N-CH 85V 67A TO220-3
制造商	Infineon Technologies
库存	2665
系列	OptiMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	85 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12.9 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4340 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-3
封装/外壳	TO-220-3