IPP03N03LB G规格参数_ipp03n03lb g现货热销【斯普仑】

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IPP03N03LB G

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

3403 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPP03N03LB G，现有足量库存。IPP03N03LB G的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IPP03N03LB G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPP03N03LB G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPP03N03LB G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPP03N03LB G
描述	MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
制造商	Infineon Technologies
库存	3403
系列	OptiMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.1 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	59 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7624 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-3-1
封装/外壳	TO-220-3