IPI11N03LA规格参数_ipi11n03la现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IPI11N03LA

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3

9277 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPI11N03LA，现有足量库存。IPI11N03LA的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供IPI11N03LA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPI11N03LA的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPI11N03LA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPI11N03LA
描述	MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3
制造商	Infineon Technologies
库存	9277
系列	OptiMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1358 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	52W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO262-3
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA