BUZ31 E3046规格参数_buz31 e3046现货热销【斯普仑】

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BUZ31 E3046

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

2704 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BUZ31 E3046，现有足量库存。BUZ31 E3046的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供BUZ31 E3046数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BUZ31 E3046的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BUZ31 E3046产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BUZ31 E3046
描述	MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
制造商	Infineon Technologies
库存	2704
系列	SIPMOS®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	14.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	200 毫欧 @ 9A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1120 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	95W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO262-3
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA