BTS282Z E3230规格参数_bts282z e3230现货热销【斯普仑】

400-900-8690

BTS282Z E3230

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-7

描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

1190 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BTS282Z E3230，现有足量库存。BTS282Z E3230的封装/规格参数为:TO-220-7；同时斯普仑现货为您提供BTS282Z E3230数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BTS282Z E3230的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BTS282Z E3230产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BTS282Z E3230
描述	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
制造商	Infineon Technologies
库存	1190
系列	TEMPFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	49 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6.5 毫欧 @ 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	232 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4800 pF @ 25 V
FET 功能	温度检测二极管
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	P-TO220-7-230
封装/外壳	TO-220-7