BSS119 E6433规格参数_bss119 e6433现货热销【斯普仑】

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BSS119 E6433

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

7844 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSS119 E6433，现有足量库存。BSS119 E6433的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BSS119 E6433数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSS119 E6433的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BSS119 E6433产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSS119 E6433
描述	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
制造商	Infineon Technologies
库存	7844
系列	SIPMOS®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	2.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	78 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	360mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT23
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3