FDD6670AS规格参数_fdd6670as现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FDD6670AS

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 30V 76A TO252

1990 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDD6670AS，现有足量库存。FDD6670AS的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供FDD6670AS数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDD6670AS的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDD6670AS产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDD6670AS
描述	MOSFET N-CH 30V 76A TO252
制造商	onsemi
库存	1990
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	76A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8 毫欧 @ 13.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1580 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	70W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63