2SK1058-E规格参数_2sk1058-e现货热销【斯普仑】

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2SK1058-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 160V 7A TO3P

3456 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的2SK1058-E，现有足量库存。2SK1058-E的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供2SK1058-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2SK1058-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

2SK1058-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	2SK1058-E
描述	MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	3456
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	160 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	600 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	100W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3P
封装/外壳	TO-220-3 整包