IRF6662TR1PBF规格参数_irf6662tr1pbf现货热销【斯普仑】

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IRF6662TR1PBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等容 MZ

描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

9654 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF6662TR1PBF，现有足量库存。IRF6662TR1PBF的封装/规格参数为:DirectFET™ 等容 MZ；同时斯普仑现货为您提供IRF6662TR1PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF6662TR1PBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRF6662TR1PBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF6662TR1PBF
描述	MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
制造商	Infineon Technologies
库存	9654
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.3A（Ta），47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	22 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1360 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DIRECTFET™ MZ
封装/外壳	DirectFET™ 等容 MZ