IRF6648TR1PBF规格参数_irf6648tr1pbf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IRF6648TR1PBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等容 MN

描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN

1947 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF6648TR1PBF，现有足量库存。IRF6648TR1PBF的封装/规格参数为:DirectFET™ 等容 MN；同时斯普仑现货为您提供IRF6648TR1PBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF6648TR1PBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRF6648TR1PBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF6648TR1PBF
描述	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
制造商	Infineon Technologies
库存	1947
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2120 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DIRECTFET™ MN
封装/外壳	DirectFET™ 等容 MN