IXTT30N60P规格参数_ixtt30n60p现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IXTT30N60P

制造商：IXYS

封装外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

描述：MOSFET N-CH 600V 30A TO268

7105 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTT30N60P，现有足量库存。IXTT30N60P的封装/规格参数为:TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；同时斯普仑现货为您提供IXTT30N60P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTT30N60P的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IXTT30N60P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IXTT30N60P
描述	MOSFET N-CH 600V 30A TO268
制造商	IXYS
库存	7105
系列	Polar
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	240 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5050 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	540W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-268AA
封装/外壳	TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA